Jum’at (27/06/14) pk. 13.00-15.00 WIB, bertempat di Gedung B101 FMIPA-UI berlangsung sidang Promosi Doktor IWAN SUGIHARTONO. Beliau lulus dengan predikat “Sangat Memuaskan“.
Judul Disertasi :“ZnO Thin Films Grown By Ultrasonic Spray Pyrolisis (USP) for LIght Emitting Diodes Applications”
Program Studi : Pasca Sarjana Ilmu Material
Ketua Sidang : Dr. Ridla Bakri, M.Phil.
Promotor : Dr. Bambang Soegijono, M.Si.
Ko-Promotor : Dr. Muhammad Hikam
Tim Penguji :
Dr. Suhardjo Poertadji
Dede Djuhana, Ph.D.
Dr. Vivi Fauzia
Dr. Budhy Kurniawan
Prof. Dr. Agus Setyo Budi, M.Sc.
Lapisan tipis ZnO telah ditumbuhkan di atas substrate silikon menggunakan teknik pengkabutan ultrasonik (USP) dengan variasi temperatur tumbuh. Analisis struktur menggunakan difraksi sinar-X menunjukan bahwa struktur dari lapisan tipis ZnO adalah polikristal. Berdasarkan analisis morfologi menggunakan scanning electron microscopy (SEM), ketebalan dari lapisan tipis tidak homogen. Berdasarkan analisis morfologi menggunakan atomic force microscopy (AFM), tingkat kekasaran (roughness) semakin berkurang ketika lapisan tipis dianil pada temperatur 800oC (tanpa anil 36.543 nm, setelah anil 24.754 nm). Sementara, berdasarkan pengukuran Hall, hambatan berkurang dengan penambahan temperatur tumbuh, mobilitas Hall bertambah dengan penambahan temperatur tumbuh, densitas pembawa muatan bernilai 1.18×1016 cm-3, 8.59×1015 cm-3, dan 9×1015 cm-3 ketika temperature tumbuh bertambah. Secara optik, spectrum photoluminisen menunjukan karakter spesifik dari ZnO, yaitu memiliki dua emisi ultraviolet (UV) dan cahaya tampak (hijau). Uji photoluminisen pada temperatur rendah untuk lapisan tipis ZnO tanpa anil, emisi UV dan cahaya tampak mengalami penambahan. Sedangkan untuk lapisan tipis ZnO dengan anil, puncak cahaya tampak mengalami penyusutan. Energi yang berasal dari defek teramati pada level 1.62 eV, 2.16 eV – 2.18 eV, dan 2.46 eV – 2.55eV. Energi defek pada level 1.62 eV berasal dari transisi elektronik dari bawah energi pita konduksi ke vakansi oksigen (Vo). Energi defek yang berada pada interval 2.16 eV – 2.18 eV berasal dari interstisial oksigen sedangkan energi defek pada rentang 2.46 eV – 2.55eV berasal dari transisi elektron dari vakansi oksigen yang terionisasi ke pita valensi. Selanjutnya, telah didemonstrasikan salah satu aplikasi pada bidang optoelektronika, yaitu pembuatan divais struktur hetero lampu dioda berbasis ZnO yang mampu menghasilkan warna akibat dari fenomena impact excitation.
